Оперативная память G.Skill

двойной двухканальный (4 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-30, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-134, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7800 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-125, напряжение 1.45 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-102, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 28T, тайминги 28-34-34-89, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-18-18-38, напряжение 1.45 В