Оперативная память HP

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц

1 модуль, частота 1866 МГц, CL 13T, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21

32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1066 МГц, CL 7T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В