Оперативная память

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38-76, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-84, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В