SSD

2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5700 MBps, случайный доступ: 1000000/1200000 IOps, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5

500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps

960 ГБ, 2.5", U.2 (PCIe NVMe Gen3 x4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 440000/150000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/85000 IOps

500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5

3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/4200 МБайт/с

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3c), микросхемы 3D TLC NAND, случайный доступ: 400000/400000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 430000/530000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы TLC, последовательный доступ: 5500/1600 МБайт/с, случайный доступ: 300000/75000 IOps

2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3540/3090 MBps, случайный доступ: 195000/150000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps