Найдено 1015 товаров
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы TLC, последовательный доступ: 5500/1600 МБайт/с, случайный доступ: 300000/75000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы TLC, последовательный доступ: 5500/1600 МБайт/с, случайный доступ: 300000/75000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7150/6300 МБайт/с, случайный доступ: 850000/1350000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/4200 МБайт/с
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/4200 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7000/5400 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
500 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2000 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2000 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 430000/530000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 МБайт/с, случайный доступ: 430000/530000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
2.048 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
2.048 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2350/1700 МБайт/с, случайный доступ: 90000/280000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2350/1700 МБайт/с, случайный доступ: 90000/280000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса