2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1350000 IOps, совместимость с PS5

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/320 МБайт/с, случайный доступ: 98000/14000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 544300/403900 IOps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 450/320 МБайт/с, случайный доступ: 40000/40000 IOps

U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2080 MBps, случайный доступ: 643000/199000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2267, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3800/3200 МБайт/с, случайный доступ: 370000/560000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 750000/850000 IOps, совместимость с PS5

M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps

2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4500/4000 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps

1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps